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技術文獻:基于異質Ir(III)的高輻射容量近紅外有機發光二極管

 更新時間:2023-03-08 點擊量:296

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主要內容
含有重金屬的近紅外有機發光二極管(NIR OLEDs)因其應用優勢而常被報道。但對于商業應用,由于其功耗的原因,有必要從輻射容量(RC)的角度來探索器件性能。


研究人員開發了一種基于Ir(III)的新型異質近紅外材料,用于近紅外有機發光二極管(NIR OLEDs)。這些材料具有高度定向的水平偶極比和短輻射壽命。在NIR OLEDs中,這些器件提供極低的導通電壓和高輻射容量,使其適用于各種應用。這項研究表明,在類似的基于Ir(III)的近紅外OLEDs中,它具有優異的器件性能,這使其成為一種有前途的商業應用材料。


發射層沉積在50nm厚的玻璃襯底上。其中使用我公司代理的Phelos角度分辨電致發光/光致發光測量系統收集了全角度相關p偏振PL光譜。
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產品推薦-Phelos角度分辨電致發光/光致發光測量系統

Phelos用于測量OLED、鈣鈦礦LED及其他發光器件的發射光譜特性和極化角,同時也可測量器件的s和p偏振光譜、發射光譜與角度的關系,計算出發射層中激子的發光角度及位置分布。


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文獻信息

Heteroleptic Ir(III)-based near-infrared organic light-emitting diodes with high radiance capacity

Yongjin Park, Gyeong Seok Lee, Woochan Lee, Seunghyup Yoo, Yun-Hi Kim & Kyung-Cheol Choi


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