銷售咨詢熱線:
18911365393
產品目錄
技術文章
首頁 > 技術中心 > IOP Science:分子束外延生長PbTe納米線

IOP Science:分子束外延生長PbTe納米線

 更新時間:2023-05-23 點擊量:325

圖片


主要內容

量子技術的進步來自于發現提高電子器件性能和功能的新材料系統。碲化鉛(PbTe)是IV–VI材料家族的一員,擁有可探索的未知潛力。由于其高電子遷移率、強自旋軌道耦合和超高介電常數,它可以容納少量電子量子點和彈道量子線,并有機會控制電子自旋和其他量子自由度。

在這篇文章中,研究團隊報道了如何通過分子束外延制備PbTe納米線。實現了適用于量子器件的無缺陷單晶PbTe,具有高達50的縱橫比。此外,通過制造單個納米線場效應晶體管實現了雙極傳輸,提取帶隙并觀察電導的Fabry–P′erot振蕩及準傳輸的特征。


圖片


其中由巨力光電代理的 kSA BandiT實時襯底溫度測試儀 在研究過程中提供測量實時溫度


圖片

圖片

圖片

圖片

產品推薦

1. kSA BandiT實時襯底溫度測試儀 是一種非接觸、實時測量半導體襯底表面溫度的測試系統,采用半導體材料吸收邊隨溫度的變化的原理,實時測量晶片/襯底的溫度。

圖片

2. kSA ACE 原位MBE束流監測系統 是一種高靈敏度的在線原位原子束流監測設備,它利用原子吸收光譜的原理來測量對應原子種類的通量率。該設備可實時原位檢測原子束流密度、生長速率,實現對薄膜成分精確控制。

圖片

文獻信息

Growth of PbTe nanowires by molecular beam epitaxy

Sander G Schellingerhout, Eline J de Jong, Maksim Gomanko, Xin Guan, Yifan Jiang, Max S M Hoskam, Jason Jung, Sebastian Koelling, Oussama Moutanabbir, Marcel A Verheijen, Sergey M Frolov and Erik P A M Bakkers


亚洲日韩成人