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水溶性NaCl薄膜上GaAs模板的分子束外延

 更新時間:2023-12-11 點擊量:212
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主要內容


目前III-V族化合物襯底費用普遍偏高,許多技術由此受到了其成本的限制。因此,能夠重復使用原始襯底是一種可行的解決方法,但現有的襯底再利用技術存在明顯缺陷。在這篇文章中,研究人員討論了一種通過分子束外延在常用(001)GaAs襯底上沉積水溶性NaCl薄膜的新方法。利用原位電子束和低溫成核層,在連續的NaCl層上生長單晶GaAs模板。模板層可以通過NaCl的溶解而從襯底上快速去除,Lift-off(剝離工藝)后原始晶片rms表面粗糙度僅增加了0.2nm。


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其中研究過程中使用巨力光電代理的kSA BandiT實時襯底溫度測試儀來測量襯底溫度。


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1. kSA BandiT實時襯底溫度測試儀 是一種非接觸、實時測量半導體襯底表面溫度的測試系統,采用半導體材料吸收邊隨溫度的變化的原理,實時測量晶片/襯底的溫度。

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文獻信息


Molecular beam epitaxy of GaAs templates on water soluble NaCl thin films 
Brelon J. May, Jae Jin Kim, Patrick Walker, Helio R. Moutinho, William E. McMahon, Aaron J. Ptak, David L. Young*



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